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TPD3215M
CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE
Numéro d'article
TPD3215M
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Last Time Buy
Emballage
Bulk
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
Module
Puissance - Max
470W
Package d'appareil du fournisseur
Module
Type FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Fonctionnalité FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Tension drain-source (Vdss)
600V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
70A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
34 mOhm @ 30A, 8V
Vgs(e) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2260pF @ 100V
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