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TP90H180PS
MOSFET N-CH 900V 15A TO220AB
Numéro d'article
TP90H180PS
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-220-3
Package d'appareil du fournisseur
TO-220AB
Dissipation de puissance (maximum)
78W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
900V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
15A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
205 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.6V @ 500µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
780pF @ 600V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±18V
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