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TPN6R303NC,LQ

MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV

Numéro d'article

TPN6R303NC,LQ

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

U-MOSVIII

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerVDFN

Package d'appareil du fournisseur

8-TSON Advance (3.3x3.3)

Dissipation de puissance (maximum)

700mW (Ta), 19W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

20A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

6.3 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.3V @ 200µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1370pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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