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TPN14006NH,L1Q

MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV

Numéro d'article

TPN14006NH,L1Q

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

U-MOSVIII-H

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerVDFN

Package d'appareil du fournisseur

8-TSON Advance (3.3x3.3)

Dissipation de puissance (maximum)

700mW (Ta), 30W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

13A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

14 mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 200µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 30V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

6.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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