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TPN11006NL,LQ
MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
Numéro d'article
TPN11006NL,LQ
Fabricant/Marque
Série
U-MOSVIII-H
Statut de la pièce
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-PowerVDFN
Package d'appareil du fournisseur
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Dissipation de puissance (maximum)
700mW (Ta), 30W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
17A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
11.4 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.5V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2000pF @ 30V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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