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TPH6400ENH,L1Q

TPH6400ENH,L1Q

MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP
Numéro d'article
TPH6400ENH,L1Q
Série
U-MOSVIII-H
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-PowerVDFN
Package d'appareil du fournisseur
8-SOP Advance (5x5)
Dissipation de puissance (maximum)
1.6W (Ta), 57W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
200V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
13A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
64 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 300µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
11.2nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 100V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de TPH6400ENH,L1Q
TPH6400ENH,L1Q Composants électroniques
TPH6400ENH,L1Q Ventes
TPH6400ENH,L1Q Fournisseur
TPH6400ENH,L1Q Distributeur
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