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TPC8012-H(TE12L,Q)
MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP
Numéro d'article
TPC8012-H(TE12L,Q)
Fabricant/Marque
Série
π-MOSV
Statut de la pièce
Discontinued at Digi-Key
Emballage
Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Package d'appareil du fournisseur
8-SOP (5.5x6.0)
Dissipation de puissance (maximum)
1W (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
200V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
1.8A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 900mA, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
440pF @ 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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