Acheter Toshiba Semiconductor and Storage TK8P60W,RVQ MOSFET N CH 600V 8A DPAK

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TK8P60W,RVQ

MOSFET N CH 600V 8A DPAK

Numéro d'article

TK8P60W,RVQ

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

DTMOSIV

Statut de la pièce

Discontinued at Digi-Key

Emballage

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

DPAK

Dissipation de puissance (maximum)

80W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Super Junction

Tension drain-source (Vdss)

600V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

8A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

500 mOhm @ 4A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.7V @ 400µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

18.5nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

570pF @ 300V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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