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TK6P60W,RVQ

TK6P60W,RVQ

MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
Numéro d'article
TK6P60W,RVQ
Série
DTMOSIV
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareil du fournisseur
DPAK
Dissipation de puissance (maximum)
60W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
Super Junction
Tension drain-source (Vdss)
600V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
6.2A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
820 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
3.7V @ 310µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
390pF @ 300V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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Coordonnées
Mots-clés de TK6P60W,RVQ
TK6P60W,RVQ Composants électroniques
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TK6P60W,RVQ Distributeur
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