Acheter Toshiba Semiconductor and Storage TK5Q65W,S1Q MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK

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TK5Q65W,S1Q

MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK

Numéro d'article

TK5Q65W,S1Q

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

DTMOSIV

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-251-3 Stub Leads, IPak

Package d'appareil du fournisseur

I-PAK

Dissipation de puissance (maximum)

60W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

650V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

5.2A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1.22 Ohm @ 2.6A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.5V @ 170µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

380pF @ 300V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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