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TK55S10N1,LQ

MOSFET N-CH 100V 55A DPAK

Numéro d'article

TK55S10N1,LQ

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

U-MOSVIII-H

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

DPAK+

Dissipation de puissance (maximum)

157W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

55A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

6.5 mOhm @ 27.5A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 500µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

49nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3280pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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