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TK4R4P06PL,RQ

MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK

Numéro d'article

TK4R4P06PL,RQ

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

U-MOSIX-H

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

175°C

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

DPAK

Dissipation de puissance (maximum)

87W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

58A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

4.4 mOhm @ 29A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.5V @ 500µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

48.2nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3280pF @ 30V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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