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TK3R1A04PL,S4X

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Numéro d'article

TK3R1A04PL,S4X

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

U-MOSIX-H

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-220-3 Full Pack

Package d'appareil du fournisseur

TO-220SIS

Dissipation de puissance (maximum)

36W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

40V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

82A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

3.8 mOhm @ 30A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.4V @ 500µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

63.4nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4670pF @ 20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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