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TK39N60W,S1VF

MOSFET N CH 600V 38.8A TO247

Numéro d'article

TK39N60W,S1VF

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

DTMOSIV

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-247-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-247

Dissipation de puissance (maximum)

270W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Super Junction

Tension drain-source (Vdss)

600V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

38.8A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

65 mOhm @ 19.4A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.7V @ 1.9mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4100pF @ 300V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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