Toshiba Semiconductor and Storage
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TK35S04K3L(T6L1,NQ
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TK35S04K3L(T6L1,NQ

MOSFET N-CH 40V 35A DPAK-3
Numéro d'article
TK35S04K3L(T6L1,NQ
Fabricant/Marque
Toshiba Semiconductor and Storage
Série
U-MOSIV
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareil du fournisseur
DPAK+
Dissipation de puissance (maximum)
58W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
40V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
35A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
10.3 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1370pF @ 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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TK35S04K3L(T6L1,NQ Composants électroniques
TK35S04K3L(T6L1,NQ Ventes
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