Toshiba Semiconductor and Storage
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TK35N65W,S1F
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TK35N65W,S1F

MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
Numéro d'article
TK35N65W,S1F
Fabricant/Marque
Toshiba Semiconductor and Storage
Série
DTMOSIV
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-247-3
Package d'appareil du fournisseur
TO-247
Dissipation de puissance (maximum)
270W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
650V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
35A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
3.5V @ 2.1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4100pF @ 300V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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