Toshiba Semiconductor and Storage
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TK290P60Y,RQ
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TK290P60Y,RQ

MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
Numéro d'article
TK290P60Y,RQ
Fabricant/Marque
Toshiba Semiconductor and Storage
Série
DTMOSV
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareil du fournisseur
DPAK
Dissipation de puissance (maximum)
100W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
600V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
11.5A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
290 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 450µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
730pF @ 300V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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