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TK1K2A60F,S4X

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-

Numéro d'article

TK1K2A60F,S4X

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

U-MOSIX

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-220-3 Full Pack

Package d'appareil du fournisseur

TO-220SIS

Dissipation de puissance (maximum)

35W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

600V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

6A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1.2 Ohm @ 3A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 630µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

740pF @ 300V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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