Toshiba Semiconductor and Storage
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TK13E25D,S1X(S
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TK13E25D,S1X(S

MOSFET N-CH 250V 13A TO-220AB
Numéro d'article
TK13E25D,S1X(S
Fabricant/Marque
Toshiba Semiconductor and Storage
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-220-3
Package d'appareil du fournisseur
TO-220-3
Dissipation de puissance (maximum)
102W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
250V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
13A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
250 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
3.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 100V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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