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SSM6P16FE(TE85L,F)

MOSFET P-CH 20V 0.1A ES6

Numéro d'article

SSM6P16FE(TE85L,F)

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

π-MOSVI

Statut de la pièce

Discontinued at Digi-Key

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

SOT-563, SOT-666

Package d'appareil du fournisseur

ES6

Dissipation de puissance (maximum)

150mW (Ta)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

100mA (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

8 Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(e) (Max) @ Id

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

11pF @ 3V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4V

Vgs (Max)

±10V

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