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SSM6H19NU,LF

MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN

Numéro d'article

SSM6H19NU,LF

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

U-MOSVII-H

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

6-UDFN Exposed Pad

Package d'appareil du fournisseur

6-UDFN (2x2)

Dissipation de puissance (maximum)

1W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

40V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

2A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

185 mOhm @ 1A, 8V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.2V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

2.2nC @ 4.2V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

130pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 8V

Vgs (Max)

±12V

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