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SSM6N36FE,LM

MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6

Numéro d'article

SSM6N36FE,LM

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

SOT-563, SOT-666

Puissance - Max

150mW

Package d'appareil du fournisseur

ES6 (1.6x1.6)

Type FET

2 N-Channel (Dual)

Fonctionnalité FET

Logic Level Gate

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

500mA

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

630 mOhm @ 200mA, 5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

1.23nC @ 4V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

46pF @ 10V

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