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SSM6J801R,LF

SMALL-SIGNAL PCH MOSFET UMOSVI

Numéro d'article

SSM6J801R,LF

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

U-MOSVI

Statut de la pièce

Active

Emballage

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

6-SMD, Flat Leads

Package d'appareil du fournisseur

6-TSOP-F

Dissipation de puissance (maximum)

1.5W (Ta)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

6A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

32.5 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

12.8nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

840pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Vgs (Max)

+6V, -8V

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