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SSM6J512NU,LF

MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B

Numéro d'article

SSM6J512NU,LF

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

U-MOSVII

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

6-WDFN Exposed Pad

Package d'appareil du fournisseur

6-UDFNB (2x2)

Dissipation de puissance (maximum)

1.25W (Ta)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

12V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

10A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

16.2 mOhm @ 4A, 8V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

19.5nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 6V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 8V

Vgs (Max)

±10V

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