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SSM6J50TU,LF

X34 PB-F UF6 S-MOS (LF) TRANSIST

Numéro d'article

SSM6J50TU,LF

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

U-MOSIV

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

6-SMD, Flat Leads

Package d'appareil du fournisseur

UF6

Dissipation de puissance (maximum)

500mW (Ta)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

2.5A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

64 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.2V @ 200µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2V, 4.5V

Vgs (Max)

±10V

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