Acheter Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J502NU,LF MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

DataSheets

SSM6J502NU,LF

MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A

Numéro d'article

SSM6J502NU,LF

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

U-MOSVI

Statut de la pièce

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

6-WDFN Exposed Pad

Package d'appareil du fournisseur

6-UDFNB (2x2)

Dissipation de puissance (maximum)

1W (Ta)

Type FET

P-Channel

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

6A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

23.1 mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

24.8nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 10V

Vgs (Max)

±8V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 7002 PCS

Coordonnées