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SSM6J214FE(TE85L,F

X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH

Numéro d'article

SSM6J214FE(TE85L,F

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

U-MOSVI

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

SOT-563, SOT-666

Package d'appareil du fournisseur

ES6

Dissipation de puissance (maximum)

500mW (Ta)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

3.6A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

50 mOhm @ 3A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.2V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

7.9nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

560pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 10V

Vgs (Max)

±12V

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