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HN4K03JUTE85LF

MOSFET N-CH 20V 0.1A USV

Numéro d'article

HN4K03JUTE85LF

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

Package d'appareil du fournisseur

USV

Dissipation de puissance (maximum)

200mW (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

100mA (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

12 Ohm @ 10mA, 2.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

8.5pF @ 3V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V

Vgs (Max)

10V

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