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2SJ304(F)

MOSFET P-CH 60V 14A TO220NIS

Numéro d'article

2SJ304(F)

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Bulk

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-220-3 Full Pack

Package d'appareil du fournisseur

TO-220NIS

Dissipation de puissance (maximum)

40W (Tc)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

14A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

120 mOhm @ 7A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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