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TH58BYG2S3HBAI6
IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA
Numéro d'article
TH58BYG2S3HBAI6
Fabricant/Marque
Série
Benand™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tray
Technologie
FLASH - NAND (SLC)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
67-VFBGA
Package d'appareil du fournisseur
67-VFBGA (6.5x8)
Tension - Alimentation
1.7 V ~ 1.95 V
Type de mémoire
Non-Volatile
Taille mémoire
4Gb (512M x 8)
Temps d'accès
25ns
Fréquence d'horloge
-
Format de mémoire
Flash
Temps de cycle d'écriture - Word, Page
25ns
Interface mémoire
Parallel
Citation requise
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