Acheter Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N06CW RPG MOSFET N-CHANNEL 60V 11A SOT223

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TSM900N06CW RPG

MOSFET N-CHANNEL 60V 11A SOT223

Numéro d'article

TSM900N06CW RPG

Fabricant/Marque

Taiwan Semiconductor Corporation

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-261-4, TO-261AA

Package d'appareil du fournisseur

SOT-223

Dissipation de puissance (maximum)

25W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

11A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

90 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

9.3nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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