Acheter Taiwan Semiconductor Corporation TSM052N06PQ56 RLG MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN

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TSM052N06PQ56 RLG

MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN

Numéro d'article

TSM052N06PQ56 RLG

Fabricant/Marque

Taiwan Semiconductor Corporation

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerTDFN

Package d'appareil du fournisseur

8-PDFN (5x6)

Dissipation de puissance (maximum)

83W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

100A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

5.2 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3686pF @ 30V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±25V

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