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TSM015NA03CR RLG

MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN

Numéro d'article

TSM015NA03CR RLG

Fabricant/Marque

Taiwan Semiconductor Corporation

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerTDFN

Package d'appareil du fournisseur

8-PDFN (5x6)

Dissipation de puissance (maximum)

104W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

205A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1.5 mOhm @ 32A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

67nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4243pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±30V

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