Acheter Taiwan Semiconductor Corporation TSM048NB06LCR 60V 107A SINGLE N-CHANNEL POWER

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TSM048NB06LCR

60V 107A SINGLE N-CHANNEL POWER

Numéro d'article

TSM048NB06LCR

Fabricant/Marque

Taiwan Semiconductor Corporation

Statut de la pièce

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerTDFN

Package d'appareil du fournisseur

8-PDFN (5x6)

Dissipation de puissance (maximum)

3.1W (Ta), 136W (Tc)

Type FET

N-Channel

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

16A (Ta), 107A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

4.8 mOhm @ 16A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

105nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

6253pF @ 30V

Vgs (Max)

±20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

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