Acheter Taiwan Semiconductor Corporation TSM033NB04LCR RLG MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

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TSM033NB04LCR RLG

MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

Numéro d'article

TSM033NB04LCR RLG

Fabricant/Marque

Taiwan Semiconductor Corporation

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerLDFN

Package d'appareil du fournisseur

8-PDFN (5x6)

Dissipation de puissance (maximum)

3.1W (Ta), 107W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

40V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

21A (Ta), 121A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

3.3 mOhm @ 21A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

79nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4456pF @ 20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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