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STY100NM60N

MOSFET N CH 600V 98A MAX247

Numéro d'article

STY100NM60N

Fabricant/Marque

STMicroelectronics

Série

MDmesh™ II

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-247-3

Package d'appareil du fournisseur

MAX247™

Dissipation de puissance (maximum)

625W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

600V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

98A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

29 mOhm @ 49A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

330nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

9600pF @ 50V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

25V

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