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STU7N60M2

STU7N60M2

MOSFET N-CH 600V IPAK
Numéro d'article
STU7N60M2
Fabricant/Marque
Série
MDmesh™ II Plus
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Package d'appareil du fournisseur
I-PAK
Dissipation de puissance (maximum)
60W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
600V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
5A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
950 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8.8nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
271pF @ 100V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±25V
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Mots-clés de STU7N60M2
STU7N60M2 Composants électroniques
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