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STU6N60M2

MOSFET N-CH 600V IPAK

Numéro d'article

STU6N60M2

Fabricant/Marque

STMicroelectronics

Série

MDmesh™ II Plus

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Package d'appareil du fournisseur

I-PAK

Dissipation de puissance (maximum)

60W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

600V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

4.5A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1.2 Ohm @ 2.25A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

13.5nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

232pF @ 100V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±25V

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