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STP80N6F6

MOSFET N-CH 60V TO-220

Numéro d'article

STP80N6F6

Fabricant/Marque

STMicroelectronics

Série

Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-220-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-220

Dissipation de puissance (maximum)

120W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

110A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

5.8 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

122nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

7480pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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