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STFI11NM65N

MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP

Numéro d'article

STFI11NM65N

Fabricant/Marque

STMicroelectronics

Série

MDmesh™ II

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-262-3 Full Pack, I²Pak

Package d'appareil du fournisseur

I2PAKFP (TO-281)

Dissipation de puissance (maximum)

25W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

650V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

11A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

455 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 50V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±25V

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