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STD100N10F7
MOSFET N CH 100V 80A DPAK
Numéro d'article
STD100N10F7
Fabricant/Marque
Série
DeepGATE™, STripFET™ VII
Statut de la pièce
Active
Emballage
Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareil du fournisseur
DPAK
Dissipation de puissance (maximum)
120W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
80A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
8 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
61nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4369pF @ 50V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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