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US6M11TR

MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6

Numéro d'article

US6M11TR

Fabricant/Marque

Rohm Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Puissance - Max

Package d'appareil du fournisseur

UMT6

Type FET

N and P-Channel

Fonctionnalité FET

Logic Level Gate

Tension drain-source (Vdss)

20V, 12V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

1.5A, 1.3A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

180 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

1.8nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

110pF @ 10V

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