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SCT3060ALGC11

MOSFET NCH 650V 39A TO247N

Numéro d'article

SCT3060ALGC11

Fabricant/Marque

Rohm Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

SiCFET (Silicon Carbide)

Température de fonctionnement

175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-247-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-247N

Dissipation de puissance (maximum)

165W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

650V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

39A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

78 mOhm @ 13A, 18V

Vgs(e) (Max) @ Id

5.6V @ 6.67mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

58nC @ 18V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

852pF @ 500V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

18V

Vgs (Max)

+22V, -4V

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