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SCH2080KEC

MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247

Numéro d'article

SCH2080KEC

Fabricant/Marque

Rohm Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

SiCFET (Silicon Carbide)

Température de fonctionnement

175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-247-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-247

Dissipation de puissance (maximum)

262W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

1200V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

40A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

117 mOhm @ 10A, 18V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 4.4mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

106nC @ 18V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1850pF @ 800V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

18V

Vgs (Max)

+22V, -6V

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