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RUF020N02TL
MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3
Numéro d'article
RUF020N02TL
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
3-SMD, Flat Leads
Package d'appareil du fournisseur
TUMT3
Dissipation de puissance (maximum)
320mW (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
2A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
2nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
180pF @ 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Vgs (Max)
±10V
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