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RUE003N02TL

MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3

Numéro d'article

RUE003N02TL

Fabricant/Marque

Rohm Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Not For New Designs

Emballage

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

SC-75, SOT-416

Package d'appareil du fournisseur

EMT3

Dissipation de puissance (maximum)

150mW (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

300mA (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1 Ohm @ 300mA, 4V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

25pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4V

Vgs (Max)

±8V

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