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RSD131P10TL
MOSFET P-CH 100V 13A CPT3
Numéro d'article
RSD131P10TL
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Not For New Designs
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareil du fournisseur
CPT3
Dissipation de puissance (maximum)
850mW (Ta), 20W (Tc)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
13A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2400pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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