Acheter Rohm Semiconductor RQ1C065UNTR MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8

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RQ1C065UNTR

MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8

Numéro d'article

RQ1C065UNTR

Fabricant/Marque

Rohm Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SMD, Flat Lead

Package d'appareil du fournisseur

TSMT8

Dissipation de puissance (maximum)

700mW (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

6.5A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

22 mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

870pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±10V

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