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RP1H065SPTR

RP1H065SPTR

MOSFET P-CH 45V 6.5A MPT6
Numéro d'article
RP1H065SPTR
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
6-SMD, Flat Leads
Package d'appareil du fournisseur
MPT6
Dissipation de puissance (maximum)
2W (Ta)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
45V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
6.5A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
31 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3200pF @ 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de RP1H065SPTR
RP1H065SPTR Composants électroniques
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