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RK3055ETL

MOSFET N-CH 60V 8A DPAK

Numéro d'article

RK3055ETL

Fabricant/Marque

Rohm Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

CPT3

Dissipation de puissance (maximum)

20W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

8A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

150 mOhm @ 4A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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